Plantean fabricar transistores con materiales alternativos al silicio
Un equipo de investigadores de la Universidad de Pensilvania, Estados Unidos; concibió un procedimiento para fabricar el primer procesador basado en semiconductores complementarios de óxido metálico (CMOS), creados mediante materiales bidimensionales (2D) de un solo átomo de grosor.
El artículo detalla cómo los dispositivos emplearían disulfuro de molibdeno y diseleniuro de tungsteno para producir más de 2 mil transistores, sin emplear silicio, el material tradicional para dichos componentes electrónicos.
Además, los materiales empleados miden únicamente un solo átomo de espesor, y mantienen sus propiedades a esa escala, a diferencia del silicio. El líder de este proyecto, el profesor Saptarshi Das, señaló que «el silicio ha impulsado avances notables en la electrónica durante décadas al permitir la miniaturización continua de los transistores de efecto de campo (FET o Field-Effect Transistors)».
«Sin embargo, a medida que los dispositivos de silicio se miniaturizan, su rendimiento comienza a degradarse. Los materiales 2D, en cambio, mantienen unas propiedades electrónicas excepcionales a nivel atómico, colocando ante nosotros un camino prometedor», explicó Das. «Hemos demostrado por primera vez un procesador CMOS construido completamente con materiales 2D combinando transistores de disulfuro de molibdeno y diseleniuro de tungsteno cultivados en grandes áreas», acotó.
«Nuestro procesador CMOS 2D opera con bajos voltajes de alimentación, un consumo mínimo de energía y puede ejecutar operaciones lógicas simples a frecuencias de hasta 25 kHz», precisó Subir Ghosh, uno de los responsables del proyecto.
Fuente: Xataka
VTV/DC /CP
