Colaboración académica para mejorar memoria RAM de control de voltaje

La memoria RAM magnética (MRAM) se ha propuesto como alternativa a los sistemas de memoria principal de los ordenadores, y como soporte de almacenamiento no volátil de alta velocidad. Muchos investigadores están trabajando en este campo y se están realizando importantes progresos, aunque quedan barrera a superar para alcanzar el potencial teórico de esta tecnología.

Para acelerar su desarrollo, el Instituto de Investigación de Tecnología Industrial (ITRI) de Taiwán y la Universidad de California, Los Ángeles (UCLA) acaban de firmar un acuerdo de cooperación para la investigación y desarrollo de memoria RAM magnética de control de voltaje (VC-MRAM). Para ello, contarán con el apoyo del Departamento de Tecnología Industrial (DoIT) de Taiwán, el Ministerio de Asuntos Económicos (MOEA) y la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada de Defensa de Estados Unidos (DARPA).

Todas estas instituciones aportarán su conocimiento, experiencia técnica y capacidad de innovación, aplicándolos al desarrollo de nuevos materiales para la fabricación de chips de computación en memoria y almacenamiento basados en RAM magnética de control de voltaje. Esta tecnología ofrece una velocidad de escritura un 50% más alta que SOT-MRAM, con un consumo energético un 75% más bajo, y se considera como una tecnología con gran futuro para aplicaciones AIoT y en la industria automotriz.

El Dr. Chih-I Wu, vicepresidente y director general de los laboratorios de investigación de sistemas electrónicos y optoelectrónicos de ITRI, destaca las ventajas de este tipo de memoria MRAM frente a otros, y sus grandes posibilidades de cara al futuro. Comenta que “esta es la primera vez que ITRI recibe financiamiento real de DARPA en una iniciativa de cooperación. Creemos que nuestras fortalezas se pueden combinar para agregar mayor profundidad al desarrollo de la tecnología VC-MRAM”.

Más información

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Fuente: Centro de Recursos USER